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1. 設備用途
本設備主要供大專院校、科研單位等針對金屬化合物、陶瓷、無機化合物、納米材料等在真空或保護氣氛的條件下進行加壓加熱燒結處理,以便獲得高致密度的產品,例如生產高精度氮化硅陶瓷軸承等。
2. 方案圖
(圖片僅供參考)
3. 主要技術參數
3.1 電源:三相 380V 50Hz
3.2 額定加熱功率:≤18Kw 單相相加熱
3.3 最高溫度:1900℃ 使用溫度室溫-1850℃
3.4 工作區(qū)尺寸:100*100*100(D*H,mm)
3.5 控溫區(qū)數:一區(qū)
3.6 控溫方式:鎢錸熱電偶
3.7 控溫精度:±1℃
3.8 冷態(tài)極限真空度:6.67*10-3Pa(空爐、冷態(tài)、烘烤除氣后)
3.9 壓升率:4Pa/h
3.10 充氣氣氛:惰性氣體
3.11 充氣壓力(微正壓):≤0.03MPa
3.12 最大壓力:5T(數顯、自動調壓、自動保壓、伺服電動缸)
3.13 壓頭直徑:Ф40 mm
3.14 壓力波動:≤±100N,位移精度≥0.01mm
3.15 壓力行程:0~100mm(數顯)
3.16 壓力控制:伺服電動控制(伺服電機控制)
4. 設備構成
序號 | 名稱 | 數量 | 序號 | 名稱 | 數量 |
1 | 爐門 | 2 | 爐體 | ||
3 | 龍門架 | 4 | 加熱及隔熱系統(tǒng) | ||
5 | 真空系統(tǒng)(擴散泵) | 6 | 伺服電動壓力系統(tǒng) | ||
7 | 自動充放氣系統(tǒng) | 8 | 水冷卻系統(tǒng) | ||
9 | 控制系統(tǒng) | 10 | 變壓器及連接電纜 | ||
5. 結構及功能說
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